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单MOSFET晶体管 / FDT86113LZ
- 价格 起订量
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- ￥ 10.51997 100+
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- ￥ 9.36274 1000+
- 型号： FDT86113LZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 4001
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.82024
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 质量：250.2mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.2W Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.2W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：3.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 3.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：315pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.8nC @ 10V
- 上升时间：1.3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1.5 ns
- 连续放电电流(ID)：3.3A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 高度：1.7mm
- 长度：3.7mm
- 宽度：6.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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