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单MOSFET晶体管 / BSP372NH6327XTSA1
- 价格 起订量
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- ￥ 5.24568 1000+
- 型号： BSP372NH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 21500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.62255
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：PG-SOT223-4
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.8W Ta
- Turn Off Delay Time：47.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：4
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：5.1 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：230m Ω @ 1.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 218μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：329pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14.3nC @ 10V
- 上升时间：6.7ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：1.8A
- 阈值电压：1.4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：100V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.23Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 反馈上限-最大值 (Crss)：28 pF
- 高度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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