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MOSFETs 晶体管阵列 / MCH6613-TL-E
- 价格 起订量
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- 型号： MCH6613-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： MCH6613-TL-E Dual N/P-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 0.35 A; 30 V; 6-Pin MCPH
- 库存地点： 内地
- 库存： 5911
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 表面安装：YES
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：350mA 200mA
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：155 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：800mW
- 引脚数量：6
- 元素配置：Dual
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：800mW
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.58nC @ 10V
- 上升时间：65ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：120 ns
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.35A
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：850μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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