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MOSFETs 晶体管阵列 / CPH5617-TL-E
- 价格 起订量
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- 型号： CPH5617-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 5-SMD, Gull Wing
- 描述： CPH5617-TL-E Dual N-channel MOSFET Transistor; 0.15 A; 30 V; 5-Pin CPH
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：5-SMD, Gull Wing
- 引脚数：5
- Turn Off Delay Time：155 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：250mW
- 引脚数量：5
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：250mW
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.58nC @ 10V
- 上升时间：65ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：120 ns
- 连续放电电流(ID)：150mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：900μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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