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单MOSFET晶体管 / 3LN01C-TB-E
- 价格 起订量
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- 型号： 3LN01C-TB-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：150mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250mW Ta
- Turn Off Delay Time：155 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：250mW
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.58nC @ 10V
- 上升时间：65ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：120 ns
- 连续放电电流(ID)：150mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15A
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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