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单MOSFET晶体管 / ZXMN10A08E6TA
- 价格 起订量
- ¥ 6.03790 1+
- ¥ 5.69614 10+
- ¥ 5.37371 100+
- ¥ 5.06954 500+
- ¥ 4.78258 1000+
- 型号: ZXMN10A08E6TA
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: SOT-23-6
- 描述: Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 6000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 6.03790
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:17 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-23-6
- 引脚数:6
- 质量:14.996898mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:1.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):6V 10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):1.1W Ta
- Turn Off Delay Time:8 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2009
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:250mOhm
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流:100V
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 额定电流:1.5A
- 引脚数量:6
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:1.7W
- 接通延迟时间:3.4 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ω @ 3.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:405pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:7.7nC @ 10V
- 上升时间:2.2ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):2.2 ns
- 连续放电电流(ID):3.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:100V
- 高度:1.3mm
- 长度:3.1mm
- 宽度:1.8mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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