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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / MMBF170
- 价格 起订量
- ￥ 2.14164 1+
- ￥ 2.02042 10+
- ￥ 1.90605 100+
- ￥ 1.79816 500+
- ￥ 1.69638 1000+
- 型号： MMBF170
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 1400
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.14164
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 触点镀层：Tin
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-23
- 质量：30mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：500mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300mW Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 电阻：5Ohm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 额定电流：500mA
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300mW
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5Ohm @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：40pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：500mA
- 阈值电压：2.1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 双电源电压：60V
- 输入电容：40pF
- 漏源电阻：5Ohm
- 最大rds：5 Ω
- 栅源电压：2.1 V
- 高度：930μm
- 长度：2.92mm
- 宽度：3.05mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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