简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NDS7002A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NDS7002A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23
- 描述： MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 46487
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300mW
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 包装：切割胶带
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：2Ohm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：280mA
- 通道数量：1
- 电压：60V
- 元素配置：Single
- 电流：28A
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300mW
- 接通延迟时间：20 ns
- 电压 - 阈值：2.1V
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：280mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 双电源电压：60V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 漏源电阻：1.2Ohm
- 最大rds：2 Ω
- 栅源电压：2.1 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 电容-输入：50pF
- 高度：1.11mm
- 宽度：3.05mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
