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单MOSFET晶体管 / FDC658AP
- 价格 起订量
- ￥ 5.51521 1+
- ￥ 5.20303 10+
- ￥ 4.90852 100+
- ￥ 4.63068 500+
- ￥ 4.36856 1000+
- 型号： FDC658AP
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.51521
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：16 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：50MOhm
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.6W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：50m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：470pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.1nC @ 5V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：4mA
- 阈值电压：-1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏源击穿电压：-30V
- 双电源电压：-30V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：-1.8 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：90 pF
- 高度：900μm
- 长度：3mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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