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单MOSFET晶体管 / IPD90N06S4L06ATMA2
- 价格 起订量
- ￥ 11.41213 1+
- ￥ 10.76616 10+
- ￥ 10.15675 100+
- ￥ 9.58184 500+
- ￥ 9.03947 1000+
- 型号： IPD90N06S4L06ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 23893
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.41213
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：79W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2009
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 附加功能：ULTRA-LOW RESISTANCE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.3m Ω @ 90A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 40μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5680pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：75nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：90A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 最大双电源电压：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：67 mJ
- 高度：2.41mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.22mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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