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单MOSFET晶体管 / DMN55D0UT-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMN55D0UT-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-523
- 描述： MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
- 库存地点： 内地
- 库存： 300000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.45418
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-523
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：160mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200mW
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4 Ω @ 100mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：25pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±12V
- 连续放电电流(ID)：160mA
- 阈值电压：800mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：4Ohm
- 漏源击穿电压：50V
- 高度：750μm
- 长度：1.6mm
- 宽度：800μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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