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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STL100N10F7
- 价格 起订量
- ￥ 17.53328 1+
- ￥ 16.54083 10+
- ￥ 15.60456 100+
- ￥ 14.72128 500+
- ￥ 13.88800 1000+
- 型号： STL100N10F7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
- 库存地点： 内地
- 库存： 100000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.53328
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：5W Ta 100W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VII
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 基本部件号：STL100
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：100W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：27 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.3m Ω @ 19A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5680pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80nC @ 10V
- 上升时间：40ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：70A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0073Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：76A
- 雪崩能量等级（Eas）：400 mJ
- 高度：950μm
- 长度：5.4mm
- 宽度：6.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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