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单MOSFET晶体管 / IPW65R041CFDFKSA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPW65R041CFDFKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 25
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 表面安装：NO
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：68.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：41m Ω @ 33.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 3.3mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8400pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：68.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.041Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：255A
- DS 击穿电压-最小值：650V
- 雪崩能量等级（Eas）：2185 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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