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单MOSFET晶体管 / IPT007N06NATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 48.53540 1+
- ￥ 45.78812 10+
- ￥ 43.19634 100+
- ￥ 40.75126 500+
- ￥ 38.44459 1000+
- 型号： IPT007N06NATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerSFN
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 300A 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 24008
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 48.53540
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerSFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：375W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-F2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：375W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：0.75m Ω @ 150A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 280μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：16000pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：287nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：300A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：60V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：52A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.00075Ohm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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