简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / NVMFD5853NT1G
- 价格 起订量
- ￥ 7.30435 1+
- ￥ 6.89090 10+
- ￥ 6.50085 100+
- ￥ 6.13287 500+
- ￥ 5.78573 1000+
- 型号： NVMFD5853NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
- 库存地点： 内地
- 库存： 33353
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.30435
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Turn Off Delay Time：21 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：3.1W
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 15A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1225pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：24nC @ 10V
- 上升时间：20ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：12A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：53A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NVMFD5853NT1G ON Semiconductor
NTMFS5C423NLT1G ON Semiconductor- NVMFS5C423NLT1G ON Semiconductor
NTMFD4902NFT3G ON Semiconductor
DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated
