图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / CPH3101-TL-E
- 价格 起订量
- ¥ 3.92207 1+
- ¥ 3.70007 10+
- ¥ 3.49063 100+
- ¥ 3.29305 500+
- ¥ 3.10665 1000+
- 型号: CPH3101-TL-E
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: 3-SMD, Gull Wing
- 描述: Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3
- 库存地点: 内地
- 库存: 2498
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 3.92207
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间:2 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:3-SMD, Gull Wing
- 表面安装:YES
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:30V
- Number of Elements:1
- hFEMin:200
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:900mW
- 端子位置:DUAL
- Reach合规守则:not_compliant
- 引脚数量:3
- 配置:SINGLE
- 功率 - 最大:900mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):-600mV
- 最大集电极电流:2A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流:100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):600mV @ 75mA, 1.5A
- 转换频率:150MHz
- 频率转换:150MHz
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
- CPH3101-TL-E ON Semiconductor
ECH8102-TL-H ON Semiconductor
MCH6102-TL-E ON Semiconductor
CPH3115-TL-H ON Semiconductor
US6T6TR ROHM Semiconductor

