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单相BJT晶体管 / CPH3101-TL-E

  • 价格 起订量
  • ¥ 3.92207 1+
  • ¥ 3.70007 10+
  • ¥ 3.49063 100+
  • ¥ 3.29305 500+
  • ¥ 3.10665 1000+
  • 型号: CPH3101-TL-E
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: 3-SMD, Gull Wing
  • 描述: Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2498
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 3.92207

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
  • 工厂交货时间:2 Weeks
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:3-SMD, Gull Wing
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:30V
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:200
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • JESD-609代码:e6
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
  • 最大功率耗散:900mW
  • 端子位置:DUAL
  • Reach合规守则:not_compliant
  • 引脚数量:3
  • 配置:SINGLE
  • 功率 - 最大:900mW
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):-600mV
  • 最大集电极电流:2A
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
  • 最大集极截止电流:100nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):600mV @ 75mA, 1.5A
  • 转换频率:150MHz
  • 频率转换:150MHz
  • 发射极基极电压 (VEBO):6V
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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