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单相BJT晶体管 / ECH8102-TL-H
- 价格 起订量
- ￥ 3.66687 1+
- ￥ 3.45931 10+
- ￥ 3.26350 100+
- ￥ 3.07878 500+
- ￥ 2.90451 1000+
- 型号： ECH8102-TL-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： ECH8102 Series PNP 1.6 W 30 V 12 A SMT General Purpose Transistor - SMD-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.66687
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：1.6W
- 端子位置：DUAL
- 引脚数量：8
- 配置：SINGLE
- 功率 - 最大：1.6W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：135mV
- 最大集电极电流：12A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：135mV @ 300mA, 6A
- 转换频率：140MHz
- 最大击穿电压：30V
- 频率转换：140MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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