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单相BJT晶体管 / 2N3439UA/TR
- 价格 起订量
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- 型号： 2N3439UA/TR
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： TRANS NPN 350V 1A
- 库存地点： 内地
- 库存： 16
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 供应商器件包装：-
- 厂商：微芯片技术
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：1 A
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：350 V
- RoHS：N
- DC Current Gain hFE Max：160 at 20 mA, 10 V
- Maximum DC Collector Current：1 A
- Brand：微芯片技术
- Manufacturer：Microchip
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500 mV
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10 at 200mA, 10 V
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Transistor Polarity：NPN
- Pd - Power Dissipation：800 mW
- Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
- 系列：-
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 包装：Reel
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：800 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 20mA, 10V
- 最大集极截止电流：2μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 4mA, 50mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：450 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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