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单相BJT晶体管 / US6T6TR
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： US6T6TR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： TRANS PNP 30V 2A TUMT6
- 库存地点： 内地
- 库存： 5112
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Number of Elements：1
- hFEMin：270
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铜
- 电压 - 额定直流：-30V
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：US6T
- 引脚数量：6
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：1W
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：360MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：270 @ 200mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：180mV @ 50mA, 1A
- 转换频率：360MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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