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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SB1124T-TD-E
- 价格 起订量
- ￥ 6.16797 1+
- ￥ 5.81884 10+
- ￥ 5.48947 100+
- ￥ 5.17875 500+
- ￥ 4.88561 1000+
- 型号： 2SB1124T-TD-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： TRANS PNP 50V 3A PCP
- 库存地点： 内地
- 库存： 12500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.16797
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：500mW
- 终端形式：FLAT
- 频率：150MHz
- 基本部件号：2SB1124
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：150MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 100mA, 2A
- 转换频率：150MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：-60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 高度：1.5mm
- 长度：4.5mm
- 宽度：2.5mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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