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单相BJT晶体管 / BCW33 215
- 价格 起订量
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- 型号： BCW33 215
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： 32V 250mW 100mA 420@2mA5V 100MHz 210mV@50mA2.5mA NPN 150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
- 库存地点： 内地
- 库存： 91687
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-236AB
- 质量：4.535924 g
- Package：零售包装
- 厂商：Glenair
- Product Status：活跃
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32 V
- hFEMin：420
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- 系列：*
- 操作温度：150°C (TJ)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：250 mW
- 频率：100 MHz
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250 mW
- 功率 - 最大：250 mW
- 增益带宽积：100 MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：32 V
- 最大集电极电流：100 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：420 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：210mV @ 2.5mA, 50mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V
- 转换频率：100 MHz
- 最大击穿电压：32 V
- 频率转换：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：32 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 宽度：6.35 mm
- 高度：6.35 mm
- 长度：6.35 mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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