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单相BJT晶体管 / 2DA1797-13
- 价格 起订量
- ¥ 1.44750 1+
- ¥ 1.36556 10+
- ¥ 1.28827 100+
- ¥ 1.21535 500+
- ¥ 1.14655 1000+
- 型号: 2DA1797-13
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-243AA
- 描述: TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 7492
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 1.44750
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:13 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-243AA
- 引脚数:4
- 质量:51.993025mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-100mV
- Number of Elements:1
- hFEMin:82
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2008
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 终端:SMD/SMT
- ECCN 代码:EAR99
- 类型:通用型
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散:2W
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 频率:160MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 基本部件号:2DA1797
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PSSO-F3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:2W
- 箱体转运:COLLECTOR
- 功率 - 最大:900mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 增益带宽积:160MHz
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:3A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:82 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流:100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):350mV @ 50mA, 1A
- 转换频率:160MHz
- 最大击穿电压:50V
- 集电极基极电压(VCBO):50V
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- 高度:1.5mm
- 长度:4.5mm
- 宽度:2.5mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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