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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / DNLS350Y-13
- 价格 起订量
- ￥ 1.25800 1+
- ￥ 1.18679 10+
- ￥ 1.11961 100+
- ￥ 1.05624 500+
- ￥ 0.99645 1000+
- 型号： DNLS350Y-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
- 库存地点： 内地
- 库存： 87
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.25800
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 包装/外壳：TO-243AA
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：4
- 质量：51.993025mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：370mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- 已出版：2008
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1W
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DNLS350
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-F3
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 1A 2V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：370mV @ 300mA, 3A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 宽度：2.5mm
- 长度：4.5mm
- 高度：1.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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