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单片IGBT晶体管 / NGTB35N60FL2WG
- 价格 起订量
- ¥ 16.82012 1+
- ¥ 15.86804 10+
- ¥ 14.96985 100+
- ¥ 14.12250 500+
- ¥ 13.32311 1000+
- 型号: NGTB35N60FL2WG
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点: 内地
- 库存: 7
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 16.82012
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- 质量:38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.2V
- Test Conditions:400V, 35A, 10 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2014
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最大功率耗散:300W
- 元素配置:Single
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:300W
- 集电极发射器电压(VCEO):600V
- 最大集电极电流:70A
- 反向恢复时间:68 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V, 35A
- IGBT类型:沟渠现场停车
- 闸门收费:125nC
- 集极脉冲电流(Icm):120A
- Td(开/关)@25°C:72ns/132ns
- 开关能量:840μJ (on), 280μJ (off)
- 高度:21.08mm
- 长度:16.26mm
- 宽度:5.3mm
- 达到SVHC:无SVHC
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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