简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGW30NC60WD
- 价格 起订量
- ￥ 36.22113 1+
- ￥ 34.17088 10+
- ￥ 32.23668 100+
- ￥ 30.41196 500+
- ￥ 28.69053 1000+
- 型号： STGW30NC60WD
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 1200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 36.22113
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.1V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：390V, 20A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：118 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerMESH™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：200W
- 额定电流：60A
- 基本部件号：STGW30
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：ISOLATED
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：29.5 ns
- 晶体管应用：电源控制
- 上升时间：12ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：40 ns
- JEDEC-95代码：TO-247AC
- 接通时间：42.5 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V, 20A
- 关断时间-标准值（toff)：189 ns
- 闸门收费：102nC
- 集极脉冲电流（Icm）：150A
- Td（开/关）@25°C：29.5ns/118ns
- 开关能量：305μJ (on), 181μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5.75V
- 高度：20.15mm
- 长度：15.75mm
- 宽度：5.15mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STGW30NC60WD STMicroelectronics
HGTG12N60A4D ON Semiconductor- STGW35NB60SD STMicroelectronics
- STGW20NC60VD STMicroelectronics
- STGW30V60DF STMicroelectronics
