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单片IGBT晶体管 / STGW30V60DF
- 价格 起订量
- ￥ 39.78926 1+
- ￥ 37.53704 10+
- ￥ 35.41230 100+
- ￥ 33.40783 500+
- ￥ 31.51682 1000+
- 型号： STGW30V60DF
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 600V 60A 258W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 627
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 39.78926
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.35V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：258W
- 基本部件号：STGW30
- 元素配置：Single
- 功率耗散：258W
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：53 ns
- 接通时间：59 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：225 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：163nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：45ns/189ns
- 开关能量：383μJ (on), 233μJ (off)
- 高度：20.15mm
- 长度：15.75mm
- 宽度：5.15mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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