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单片IGBT晶体管 / STGWA80H65DFB
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: STGWA80H65DFB
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点: 内地
- 库存: 2000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:650V
- Test Conditions:400V, 80A, 10 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:469W
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:STGWA80
- 元素配置:Single
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:469W
- 集电极发射器电压(VCEO):2V
- 最大集电极电流:120A
- 反向恢复时间:85 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V, 80A
- IGBT类型:沟渠现场停车
- 闸门收费:414nC
- 集极脉冲电流(Icm):240A
- Td(开/关)@25°C:84ns/280ns
- 开关能量:2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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