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单片IGBT晶体管 / FGH75T65UPD-F085
- 价格 起订量
- ￥ 65.50124 1+
- ￥ 61.79362 10+
- ￥ 58.29587 100+
- ￥ 54.99610 500+
- ￥ 51.88312 1000+
- 型号： FGH75T65UPD-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 198
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 65.50124
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.21V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 75A, 3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：375W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 上升时间-最大值：71ns
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：375W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：150A
- 反向恢复时间：85 ns
- JEDEC-95代码：TO-247AB
- 接通时间：87 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V, 75A
- 关断时间-标准值（toff)：197 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：578nC
- 集极脉冲电流（Icm）：225A
- Td（开/关）@25°C：32ns/166ns
- 开关能量：2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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