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单片IGBT晶体管 / IXA20IF1200HB
- 价格 起订量
- ￥ 30.95765 1+
- ￥ 29.20533 10+
- ￥ 27.55220 100+
- ￥ 25.99264 500+
- ￥ 24.52136 1000+
- 型号： IXA20IF1200HB
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IXYS SEMICONDUCTOR IXA20IF1200HBIGBT Single Transistor, 38 A, 2.1 V, 165 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 5268
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 30.95765
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 15A, 56 Ω, 15V
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 最大功率耗散：165W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率耗散：165W
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：38A
- 反向恢复时间：350ns
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：110 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 15A
- 关断时间-标准值（toff)：350 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：47nC
- 开关能量：1.55mJ (on), 1.7mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- 高度：21.46mm
- 长度：16.26mm
- 宽度：5.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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