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单片IGBT晶体管 / STGWA15M120DF3
- 价格 起订量
- ￥ 33.57006 1+
- ￥ 31.66987 10+
- ￥ 29.87723 100+
- ￥ 28.18607 500+
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- 型号： STGWA15M120DF3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 7200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 33.57006
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.85V
- Test Conditions：600V, 15A, 22 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：259W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STGWA15
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：259W
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：30A
- 反向恢复时间：270 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V, 15A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：53nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：26ns/122ns
- 开关能量：550μJ (on), 850μJ (off)
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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