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单片IGBT晶体管 / FGH40T65SHDF-F155
- 价格 起订量
- ￥ 31.44483 1+
- ￥ 29.66493 10+
- ￥ 27.98578 100+
- ￥ 26.40168 500+
- ￥ 24.90725 1000+
- 型号： FGH40T65SHDF-F155
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 20
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 31.44483
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.45V
- Test Conditions：400V, 40A, 6 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2016
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：268W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：268W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：80A
- 反向恢复时间：101 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.81V @ 15V, 40A
- IGBT类型：场站
- 闸门收费：68nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：18ns/64ns
- 开关能量：1.22mJ (on), 440μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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