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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGW60H65DFB
- 价格 起订量
- ￥ 40.10949 1+
- ￥ 37.83915 10+
- ￥ 35.69731 100+
- ￥ 33.67670 500+
- ￥ 31.77048 1000+
- 型号： STGW60H65DFB
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 80A 375W TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.10949
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Test Conditions：400V, 60A, 5 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：375W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STGW60
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：375W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：80A
- 反向恢复时间：60 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 60A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：306nC
- 集极脉冲电流（Icm）：240A
- Td（开/关）@25°C：51ns/160ns
- 开关能量：1.09mJ (on), 626μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 高度：20.15mm
- 长度：15.75mm
- 宽度：5.15mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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