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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / NGTG15N120FL2WG
- 价格 起订量
- ￥ 13.60116 1+
- ￥ 12.83129 10+
- ￥ 12.10499 100+
- ￥ 11.41980 500+
- ￥ 10.77340 1000+
- 型号： NGTG15N120FL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.60116
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 表面安装：NO
- Current-Collector (Ic) (Max)：30A
- Test Conditions：600V, 15A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：294W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 最大耗散功率(Abs)：294W
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 15A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：109nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：64ns/128ns
- 开关能量：1.2mJ (on), 370μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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