简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / NGTB15N120FL2WG
- 价格 起订量
- ￥ 41.40798 1+
- ￥ 39.06413 10+
- ￥ 36.85295 100+
- ￥ 34.76694 500+
- ￥ 32.79900 1000+
- 型号： NGTB15N120FL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 537
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 41.40798
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Test Conditions：600V, 15A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：294W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：294W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.4V
- 最大集电极电流：30A
- 反向恢复时间：110 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 15A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：109nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：64ns/132ns
- 开关能量：1.2mJ (on), 370μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor- NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor
- FGH15T120SMD-F155 ON Semiconductor
IRG7PH30K10DPBF Infineon Technologies- IRG4PH40KPBF Infineon Technologies
