图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / IRG7PH28UD1PBF
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IRG7PH28UD1PBF
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.3V
- Test Conditions:600V, 15A, 22 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2013
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:115W
- 元素配置:Single
- 功率耗散:115W
- 输入类型:Standard
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):2.3V
- 最大集电极电流:30A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V, 15A
- IGBT类型:Trench
- 闸门收费:90nC
- 集极脉冲电流(Icm):100A
- Td(开/关)@25°C:-/229ns
- 开关能量:543μJ (off)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值:6V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRG7PH28UD1PBF Infineon Technologies
NGTB15N120IHRWG ON Semiconductor
FGH15T120SMD-F155 ON Semiconductor
IRG7PH30K10DPBF Infineon Technologies
IRG4PH40KPBF Infineon Technologies

