图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / FGH15T120SMD-F155
- 价格 起订量
- ¥ 20.93056 1+
- ¥ 19.74581 10+
- ¥ 18.62812 100+
- ¥ 17.57370 500+
- ¥ 16.57896 1000+
- 型号: FGH15T120SMD-F155
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 334
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 20.93056
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- 质量:6.39g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9V
- Test Conditions:600V, 15A, 34 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2013
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最大功率耗散:333W
- 元素配置:Single
- 功率耗散:333W
- 输入类型:Standard
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):1.2kV
- 最大集电极电流:30A
- 反向恢复时间:72ns
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V, 15A
- IGBT类型:沟渠现场停车
- 闸门收费:128nC
- 集极脉冲电流(Icm):60A
- Td(开/关)@25°C:32ns/490ns
- 开关能量:1.15mJ (on), 460μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值:25V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值:7.5V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FGH15T120SMD-F155 ON Semiconductor
IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies
STGWA15M120DF3 STMicroelectronics
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies
IRG7PH28UD1PBF Infineon Technologies

