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单MOSFET晶体管 / APT8052BFLLG

  • 价格 起订量
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  • 型号: APT8052BFLLG
  • 厂商: Microchip Technology
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: MOSFET FG, FREDFET, 800V, 0.52_OHM, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 31
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:TO-247 [B]
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:Details
  • Mounting Styles:通孔
  • Transistor Polarity:N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
  • Id - Continuous Drain Current:15 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance:520 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage:- 30 V, + 30 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
  • Qg - Gate Charge:75 nC
  • Minimum Operating Temperature:- 55 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Pd - Power Dissipation:298 W
  • Channel Mode:Enhancement
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
  • Unit Weight:0.211644 oz
  • Package:Tube
  • Base Product Number:APT8052
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:15A (Tc)
  • 厂商:微芯片技术
  • Product Status:活跃
  • Package Description:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Operating Temperature-Min:-55 °C
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Manufacturer Part Number:APT8052BFLLG
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
  • Risk Rank:2.09
  • Drain Current-Max (ID):15 A
  • 包装:Tube
  • 系列:POWER MOS 7®
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • Reach合规守则:unknown
  • JESD-30代码:R-PSFM-T3
  • 配置:Single
  • 通道数量:1 Channel
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:DRAIN
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:520mOhm @ 7.5A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2035 pF @ 25 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:75 nC @ 10 V
  • 漏源电压 (Vdss):800 V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-247
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.52 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):60 A
  • DS 击穿电压-最小值:800 V
  • 雪崩能量等级(Eas):1210 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):298 W
  • 场效应管特性:-
  • 反馈上限-最大值 (Crss):60 pF