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单MOSFET晶体管 / BSS138-G

  • 价格 起订量
  • ¥ 1.41446 1+
  • ¥ 1.33440 10+
  • ¥ 1.25886 100+
  • ¥ 1.18761 500+
  • ¥ 1.12038 1000+
  • 型号: BSS138-G
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述: MOSFET FET 50V 3.5 OHM
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 483
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 1.41446

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:SOT-23-3
  • 安装类型:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:SOT-23-3 (TO-236)
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:Details
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Transistor Polarity:N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
  • Id - Continuous Drain Current:220 mA
  • Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
  • Vgs - Gate-Source Voltage:- 20 V, + 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
  • Qg - Gate Charge:1.7 nC
  • Minimum Operating Temperature:- 50 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Pd - Power Dissipation:350 mW
  • Channel Mode:Enhancement
  • Forward Transconductance - Min:0.12 S
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:3000
  • Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
  • Typical Turn-On Delay Time:2.5 ns
  • Unit Weight:0.000282 oz
  • Continuous Drain Current Id:220
  • Package:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
  • Base Product Number:BSS138
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:220mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
  • 厂商:onsemi
  • Power Dissipation (Max):360mW (Ta)
  • Product Status:活跃
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:BSS138-G
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
  • Risk Rank:5.48
  • Drain Current-Max (ID):0.22 A
  • 包装:MouseReel
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:-
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:compliant
  • JESD-30代码:R-PDSO-G3
  • 配置:Single
  • 通道数量:1 Channel
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率耗散:360
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ohm @ 220mA, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:27 pF @ 25 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:2.4 nC @ 10 V
  • 上升时间:9 ns
  • 漏源电压 (Vdss):50 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 漏极-源极导通最大电阻:6 Ω
  • DS 击穿电压-最小值:50 V
  • 信道型:N
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 场效应管特性:-