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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / APT10M19SVRG
- 价格 起订量
- ￥ 68.89927 1+
- ￥ 64.99931 10+
- ￥ 61.32011 100+
- ￥ 57.84916 500+
- ￥ 54.57468 1000+
- 型号： APT10M19SVRG
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： D3PAK-3
- 描述： MOSFET FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 791
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 68.89927
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：D3PAK-3
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：D3 [S]
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Id - Continuous Drain Current：75 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：19 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2 V
- Qg - Gate Charge：300 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：370 W
- Channel Mode：Enhancement
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.218699 oz
- Continuous Drain Current Id：75
- Package：Tube
- Base Product Number：APT10M19
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A (Tc)
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT10M19SVRG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.26
- Drain Current-Max (ID)：75 A
- 包装：Tube
- 系列：POWER MOS V®
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Pure Matte Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：370
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：19mOhm @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6120 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.019 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：300 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：1500 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
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