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单MOSFET晶体管 / TK28E65W,S1X
- 价格 起订量
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- 型号： TK28E65W,S1X
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- 库存地点： 内地
- 库存： 74
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：TO-220
- 厂商：东芝半导体与存储
- Package：Tube
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：230W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Typical Turn-On Delay Time：60 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：230 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.068784 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：50
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Qg - Gate Charge：75 nC
- Tradename：DTMOSIV
- Rds On - Drain-Source Resistance：110 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：130 ns
- Id - Continuous Drain Current：27.6 A
- 系列：DTMOSIV
- 操作温度：150°C
- 包装：Tube
- 子类别：MOSFETs
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110mOhm @ 13.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.6mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3000 pF @ 300 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：75 nC @ 10 V
- 上升时间：25 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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