简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / TSM056NH04LCV RGG
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： TSM056NH04LCV RGG
- 厂商： Taiwan Semiconductor Corporation
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
- 库存地点： 内地
- 库存： 9827
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件包装：8-PDFN (3.1x3.1)
- 厂商：Taiwan Semiconductor Corporation
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A (Ta), 54A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：34W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Typical Turn-On Delay Time：8.9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.2 V
- Pd - Power Dissipation：34 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 16 V, + 16 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：57 S
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：TSM056NH04LCV
- Manufacturer：台湾半导体
- Brand：台湾半导体
- Qg - Gate Charge：16 nC
- Tradename：PerFET
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：28 ns
- Id - Continuous Drain Current：54 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.6mOhm @ 27A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2076 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33 nC @ 10 V
- 上升时间：48 ns
- 漏源电压 (Vdss)：40 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 产品类别：MOSFET
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
相关产品
