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单MOSFET晶体管 / GP2T080A120H
- 价格 起订量
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- 型号： GP2T080A120H
- 厂商： SemiQ
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-4
- 描述： SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
- 库存地点： 内地
- 库存： 32
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-4
- 供应商器件包装：TO-247-4
- 厂商：SemiQ
- Package：Tube
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：20V
- Power Dissipation (Max)：188W (Tc)
- Base Product Number：GP2T080A
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.2 kV
- Typical Turn-On Delay Time：9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：188 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 25 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：30
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Depletion
- Manufacturer：SemiQ
- Brand：SemiQ
- Qg - Gate Charge：61 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：100 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：15 ns
- Id - Continuous Drain Current：35 A
- 系列：-
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装：Tube
- 子类别：MOSFETs
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100mOhm @ 20A, 20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1377 pF @ 1000 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：61 nC @ 20 V
- 上升时间：4 ns
- 漏源电压 (Vdss)：1200 V
- Vgs（最大值）：+25V, -10V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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