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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / SSM3J118TU,LF
- 价格 起订量
- ￥ 3.04772 1+
- ￥ 2.87521 10+
- ￥ 2.71246 100+
- ￥ 2.55892 500+
- ￥ 2.41408 1000+
- 型号： SSM3J118TU,LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-SMD, Flat Leads
- 描述： PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
- 库存地点： 内地
- 库存： 3240
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.04772
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：3-SMD, Flat Leads
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：UFM
- Power Dissipation (Max)：500mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V, 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.4A (Ta)
- Product Status：活跃
- Package：Tape & Reel (TR)
- 厂商：东芝半导体与存储
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Typical Turn-On Delay Time：15 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.6 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：800 mW
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.000233 oz
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：0.8 S
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Rds On - Drain-Source Resistance：240 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：14 ns
- Id - Continuous Drain Current：1.4 A
- 操作温度：150°C
- 系列：-
- 包装：切割胶带
- 子类别：MOSFETs
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：240mOhm @ 650mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：137 pF @ 15 V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：MOSFET
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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