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单MOSFET晶体管 / IPP065N03LG
- 价格 起订量
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- 型号： IPP065N03LG
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 1618
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO220-3-1
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Continuous Drain Current Id：50
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：56W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.2V @ 250µA
- Package Description：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPP065N03LG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.81
- Part Package Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (ID)：50 A
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 最高工作温度：175 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 子类别：FET 通用电源
- 最大功率耗散：56 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：56
- 接通延迟时间：5.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.5mOhm @ 30A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2400 pF @ 15 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23 nC @ 10 V
- 上升时间：4.2 ns
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：50 A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0095 Ω
- 漏源击穿电压：30 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：350 A
- 输入电容：2.4 nF
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：60 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：56 W
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：6.5 mΩ
- 最大rds：6.5 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
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