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单MOSFET晶体管 / IPI60R250CP
- 价格 起订量
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- 型号： IPI60R250CP
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 457
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO262
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Continuous Drain Current Id：20.2
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：104W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.5V @ 520µA
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPI60R250CP
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.73
- Part Package Code：TO-262AA
- Drain Current-Max (ID)：12 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：哑光锡
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：FET 通用电源
- 最大功率耗散：104 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：151
- 接通延迟时间：40 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：250mOhm @ 7.8A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1200 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35 nC @ 10 V
- 上升时间：17 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：12 A
- 阈值电压：3 V
- JEDEC-95代码：TO-262AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.25 Ω
- 漏源击穿电压：600 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：40 A
- 输入电容：1.2 nF
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：345 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：104 W
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：250 mΩ
- 最大rds：250 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
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