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单MOSFET晶体管 / BSB008NE2LXXT
- 价格 起订量
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- 型号： BSB008NE2LXXT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 25V, 0.0008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：2
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：75 ns
- Package Description：CHIP CARRIER, R-MBCC-N3
- Package Style：CHIP CARRIER
- Package Body Material：METAL
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BSB008NE2LXXT
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.7
- Drain Current-Max (ID)：180 A
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：无铅
- JESD-30代码：R-MBCC-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：89 W
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：47.2 ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：180 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0008 Ω
- 漏源击穿电压：25 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400 A
- DS 击穿电压-最小值：25 V
- 雪崩能量等级（Eas）：600 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：89 W
- 漏源电阻：800 mΩ
- 达到SVHC：compliant
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