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单MOSFET晶体管 / IPB60R250CP
- 价格 起订量
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- 型号： IPB60R250CP
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 1158
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO263-3-2
- Continuous Drain Current Id：12
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：104W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.5V @ 520µA
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- 终端：SMD/SMT
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：104 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 元素配置：Single
- 功率耗散：104
- 接通延迟时间：40 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：250mOhm @ 7.8A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1200 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35 nC @ 10 V
- 上升时间：17 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：12 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏源击穿电压：600 V
- 双电源电压：650 V
- 输入电容：1.2 nF
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：250 mΩ
- 最大rds：250 mΩ
- 栅源电压：3 V
- 宽度：9.45 mm
- 高度：4.57 mm
- 长度：10.31 mm
- 达到SVHC：无SVHC
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