分立半导体 / BC847BLT1

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型号： BC847BLT1
厂商： onsemi(安森美)
类别：分立半导体
封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述： NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL
库存地点：内地
库存： 3000
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
安装类型：表面贴装
包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装：YES
引脚数：3
供应商器件包装：SOT-23-3 (TO-236)
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage：45 V
hFEMin：200
Number of Elements：1
Voltage Rating (DC)：45 V
Manufacturer Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS：Compliant
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
Base Product Number：BC847
厂商：onsemi
Product Status：Obsolete
Package Description：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
Package Style：小概要
Moisture Sensitivity Levels：未说明
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code：CASE 318-08
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：无
Transition Frequency-Nom (fT)：100 MHz
Manufacturer Part Number：BC847BLT1
Package Shape：RECTANGULAR
Manufacturer：Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank：5.18
Part Package Code：SOT-23
包装：卷带
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：-
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
端子表面处理：锡铅
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
最大功率耗散：300 mW
端子位置：DUAL
终端形式：鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
额定电流：100 mA
频率：100 MHz
引脚数量：3
JESD-30代码：R-PDSO-G3
资历状况：COMMERCIAL
极性：NPN
配置：SINGLE
元素配置：Single
功率耗散：300 mW
功率 - 最大：300 mW
晶体管应用：SWITCHING
增益带宽积：100 MHz
极性/通道类型：NPN
晶体管类型：NPN
集电极发射器电压(VCEO)：45 V
最大集电极电流：100 mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流：15nA (ICBO)
JEDEC-95代码：TO-236AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
转换频率：100 MHz
频率转换：100MHz
集电极基极电压(VCBO)：50 V
发射极基极电压 (VEBO)：6 V
集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
最小直流增益（hFE）：200
集电极-发射器电压-最大值：45 V
无铅：含铅