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分立半导体 / BCX5216E6327
- 价格 起订量
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- 型号： BCX5216E6327
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装： SOT-89-4
- 描述： Power Bipolar Transistor,
- 库存地点： 内地
- 库存： 305
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-89-4
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：PG-SOT89-4-2
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Transistor Polarity：PNP
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500 mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60 V
- hFEMin：25
- Voltage Rating (DC)：-60 V
- RoHS：Compliant
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：2 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Unit Weight：0.004603 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：125 MHz
- Part # Aliases：SP000014830 BCX5216E6327HTSA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Maximum DC Collector Current：1 A
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：1 A
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：未说明
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：125 MHz
- Manufacturer Part Number：BCX52-16E6327
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.39
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：BCX52
- 操作温度：150°C (TJ)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：哑光锡
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：2 W
- 技术：Si
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：-1 A
- JESD-30代码：R-PSSO-F3
- 资历状况：COMMERCIAL
- 极性：PNP
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：2 W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：125 MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 集电极发射器电压(VCEO)：60 V
- 最大集电极电流：1 A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 2V
- 最大集极截止电流：100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
- 转换频率：125 MHz
- 最大击穿电压：80 V
- 频率转换：125MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：1 A
- 最小直流增益（hFE）：100
- 连续集电极电流：1
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 宽度：2.5 mm
- 高度：1.5 mm
- 长度：4.5 mm
- 无铅：无铅
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