简体中文
图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / SGW20N60HS
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SGW20N60HS
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装： TO-247-3
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 12888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO247-3-1
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 20 V, + 20 V
- Pd - Power Dissipation：179 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2 V
- Unit Weight：1.340411 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：240
- Continuous Collector Current at 25 C：40 A
- Mounting Styles：通孔
- Part # Aliases：SP000013771 SGW20N60HSFKSA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Continuous Collector Current Ic Max：36 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：36 A
- Base Product Number：SGW20N
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Test Conditions：400V, 20A, 16Ohm, 15V
- 系列：SGW20N60
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：IGBTs
- 最大功率耗散：178 W
- 技术：Si
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：178 W
- 无卤素：不含卤素
- 产品类别：IGBT晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO)：600 V
- 最大集电极电流：36 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.15V @ 15V, 20A
- 连续集电极电流：36
- IGBT类型：NPT
- 闸门收费：100 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：80 A
- Td（开/关）@25°C：18ns/207ns
- 开关能量：690µJ
- 产品类别：IGBT晶体管
- 宽度：5.3 mm
- 高度：20.95 mm
- 长度：15.9 mm
相关产品
